ULS2001H-883 安森美半导体双极晶体管阵列
安森美半导体 ULS2001H-883 双极晶体管阵列
ULS2001H-883是安森美半导体旗下的双极晶体管阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供ULS2001H-883现货库存与价格报价查询。我们可为您提供ULS2001H-883 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 7 NPN Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 850µA, 350mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
ULS2001H-883 安森美半导体双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
ULS2001H-883 是由 安森美半导体 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLI。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 7 NPN Darlington、Current - Collector (Ic) (Max): 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 850µA, 350mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100µA。
ULS2001H-883 共有 9 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（1000 @ 350mA, 2V）、Power - Max（1W）、Operating Temperature（-55°C ~ 125°C (TA)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美半导体：**安森美半导体（Allegro MicroSystems）：驱动未来动力与传感技术的创新力量**
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