规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 114MHz, 142MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
UMZ1NT1 安森美双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
UMZ1NT1 是由 安森美 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 200mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA、Current - Collector Cutoff (Max): 2µA。
UMZ1NT1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（200 @ 2mA, 6V）、Power - Max（250mW）、Frequency - Transition（114MHz, 142MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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