| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz |
| Gain | 8.5dB ~ 13dB |
| Power - Max | 700mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 210mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
关于 BFR106E6327HTSA1
BFR106E6327HTSA1 是由 Infineon Technologies 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V、Frequency - Transition: 5GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz、Gain: 8.5dB ~ 13dB。
BFR106E6327HTSA1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（700mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 70mA, 8V）、Current - Collector (Ic) (Max)（210mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Infineon Technologies：On April 1st, 1999, Siemens Semiconductors became Infineon Technologies. A dynamic more flexible company geared towards success in the competitive, ever-changing world of microelectronics. Infineon is a leading global designer, manufacturer and supplier of a broad range of semiconductors used in var...
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新闻资讯
Infineon Technologies 双极射频晶体管 产品 BFR106E6327HTSA1
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