| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 25.5dB |
| Power - Max | 125mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-10 |
关于 BFR843EL3E6327XTSA1
BFR843EL3E6327XTSA1 是由 Infineon Technologies 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V、Gain: 25.5dB、Power - Max: 125mW、Current - Collector (Ic) (Max): 55mA。
BFR843EL3E6327XTSA1 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（3-XFDFN）、Supplier Device Package（PG-TSLP-3-10） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Infineon Technologies：On April 1st, 1999, Siemens Semiconductors became Infineon Technologies. A dynamic more flexible company geared towards success in the competitive, ever-changing world of microelectronics. Infineon is a leading global designer, manufacturer and supplier of a broad range of semiconductors used in var...
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新闻资讯
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