| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 6.7GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gain | 11dB |
| Power - Max | 800mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | 6-CPH |
关于 NSVF6001SB6T1G
NSVF6001SB6T1G 是由 onsemi 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 6.7GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz、Gain: 11dB。
NSVF6001SB6T1G 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（800mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（90 @ 30mA, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（100mA）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 onsemi：onsemi is driving energy efficient innovations, empowering customers to reduce global energy use. The company offers a comprehensive portfolio of energy efficient power and signal management, logic, discrete and custom solutions to help design engineers solve their unique design challenges in automo...
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新闻资讯
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