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BFP 182W H6327

¥0.58
双极射频晶体管
英飞凌科技

RF BIPOLAR TRANSISTOR

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequency - Transition8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain22dB
Power - Max250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)35mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-82A, SOT-343
Supplier Device PackagePG-SOT343-4

关于 BFP 182W H6327

BFP 182W H6327 是由 英飞凌科技 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF BIPOLAR TRANSISTOR。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 8GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz、Gain: 22dB。

BFP 182W H6327 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(250mW)、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(70 @ 10mA, 8V)、Current - Collector (Ic) (Max)(35mA)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 英飞凌科技:**英飞凌科技(Infineon Technologies):驱动未来电子世界的核心力量**

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BFP 182W H6327 是由 英飞凌科技 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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