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BFP720ESDH6327

¥1.44
双极射频晶体管
英飞凌科技

RF TRANSISTOR, X BAND, NPN

参数名称参数值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)4.7V
Frequency - Transition43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gain11dB ~ 30.5dB
Power - Max100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 15mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max)30mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-82A, SOT-343
Supplier Device PackagePG-SOT343-4-2

关于 BFP720ESDH6327

BFP720ESDH6327 是由 英飞凌科技 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANSISTOR, X BAND, NPN。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V、Frequency - Transition: 43GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz、Gain: 11dB ~ 30.5dB。

BFP720ESDH6327 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(100mW)、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(160 @ 15mA, 3V)、Current - Collector (Ic) (Max)(30mA)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 英飞凌科技:**英飞凌科技(Infineon Technologies):驱动未来电子世界的核心力量**

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BFP720ESDH6327 是由 英飞凌科技 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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