| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | - |
| Power - Max | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
关于 RZ1214B35YI
RZ1214B35YI 是由 安普隆 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。MICROWAVE POWER TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active。
关于 安普隆：安普隆（Ampleon）品牌，自2015年独立运营以来，已传承并超越了五十余年射频功率领域的深厚积淀与领导地位。作为一家专注于高频应用创新的全球性企业，安普隆致力于通过先进的LDMOS和GaN（氮化镓）技术，为构建更美好的世界贡献力量。公司在全球拥有超过1600名员工，他们以客户的成功为己任，通过紧密的合作、伙伴关系、持续的创新以及卓越的执行力，为客户提供领先的射频功率元器件。安普隆提供一系列创新且性能卓越的产品和解决方案，广泛应用于4G LTE和5G NR通信基础设施、工业、科学、医疗、广播、航空航天及国防等关键领域。
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新闻资讯
安普隆 双极射频晶体管 产品 RZ1214B35YI
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