| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 5 NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Frequency - Transition | 550MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.25dB @ 1kHz |
| Gain | - |
| Power - Max | 300mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 14-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 14-CERDIP |
关于 LM3086J
LM3086J 是由 美国国家半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。TRANSISTOR。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: 5 NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V、Frequency - Transition: 550MHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz、Power - Max: 300mW。
LM3086J 共有 11 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)(50mA)、Operating Temperature(-40°C ~ 85°C)、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(14-CDIP (0.300", 7.62mm))、Supplier Device Package(14-CERDIP) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美国国家半导体:美国国家半导体(National Semiconductor),这家在半导体行业拥有悠久历史和卓越声誉的**元器件**企业,以其创新的技术和高质量的**电子元件**闻名于世。品牌创立于1959年,总部设在美国,历经数十载的沉淀与发展,已成为高性能模拟和混合信号**IC芯片**领域的领导者之一。国家半导体始终致力于为全球客户提供领先的**元器件**解决方案,其产品线广泛,涵盖了模拟信号处理、电源管理、数据转换、放大器、以及接口**IC芯片**等多个关键领域,为现代电子设备的核心功能提供强有力的支持。
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