规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 5 NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 8V |
| Frequency - Transition | 3GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | - |
| Power - Max | 85mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1mA, 6V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Supplier Device Package | 16-PDIP |
CA3227E 英特矽尔双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
CA3227E 是由 英特矽尔 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。NPN TRANSISTOR ARRAY。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 5 NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 8V、Frequency - Transition: 3GHz、Power - Max: 85mW、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V。
CA3227E 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（20mA）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（16-DIP (0.300", 7.62mm)）、Supplier Device Package（16-PDIP） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英特矽尔：Intersil Corporation是一家专注于高性能模拟和混合信号半导体解决方案的全球领先供应商。公司成立于1967年，总部位于美国加利福尼亚州，致力于为工业、汽车、通信和消费电子市场提供创新产品。Intersil的产品广泛应用于电源管理、数据转换、接口电路和精密模拟等领域，以其卓越的性能和可靠性著称。2017年，Intersil被瑞萨电子（Renesas Electronics）收购，进一步增强了其在半导体行业的地位和影响力。通过持续的技术创新和客户导向的服务，Intersil不断推动着电子行业的发展和进步。
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