
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 7.4dB |
| Power - Max | 583W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | 2L-FLG |
| Supplier Device Package | 2L-FLG |
关于 PH2226-110M
PH2226-110M 是由 MACOM科技解决方案 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。TRANSISTOR,BIPOLAR,RADAR,110W,2。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V、Gain: 7.4dB、Power - Max: 583W、Current - Collector (Ic) (Max): 15A。
PH2226-110M 共有 10 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature(200°C (TJ))、Mounting Type(Chassis Mount)、Package / Case(2L-FLG)、Supplier Device Package(2L-FLG) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 MACOM科技解决方案:**MACOM科技解决方案:赋能高速通信与智能连接的半导体先驱**
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MACOM科技解决方案 双极射频晶体管 产品 PH2226-110M
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