BFU768F,115 恩智浦半导体双极射频晶体管
恩智浦半导体 BFU768F,115 双极射频晶体管
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
| Frequency - Transition | 110GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz |
| Gain | 13.1dB |
| Power - Max | 220mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 155 @ 10mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-343F |
| Supplier Device Package | 4-DFP |
BFU768F,115 恩智浦半导体双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BFU768F,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V、Frequency - Transition: 110GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz、Gain: 13.1dB。
BFU768F,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（220mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（155 @ 10mA, 2V）、Current - Collector (Ic) (Max)（70mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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