STPSC606D 意法半导体单二极管
意法半导体 STPSC606D 单二极管
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 75 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 375pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
STPSC606D 意法半导体单二极管 - 规格参数与选型指南
STPSC606D 是由 意法半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARB 600V 6A TO220AC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V、Current - Average Rectified (Io): 6A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
STPSC606D 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（75 µA @ 600 V）、Capacitance @ Vr, F（375pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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