规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 621pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
S3D10065E 桑德斯微电子（南京）有限公司单二极管 - 规格参数与选型指南
S3D10065E 是由 桑德斯微电子（南京）有限公司 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
S3D10065E 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（20 µA @ 650 V）、Capacitance @ Vr, F（621pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 桑德斯微电子（南京）有限公司：桑德斯微电子（南京）有限公司（SMC Diode Solutions）成立于1997年，是一家拥有深厚行业根基的电子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美国高可靠性（HI-REL）半导体公司的商业晶圆厂，这段经历赋予了SMC卓越的制造工艺和对产品质量的极致追求。作为一家专业的电子元件供应商，SMC专注于二极管及相关半导体元器件的设计、制造和销售，其产品凭借出色的性能和严格的质量控制，在全球市场赢得了广泛认可。
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