| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
关于 SCS210AGHRC
SCS210AGHRC 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
SCS210AGHRC 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（200 µA @ 600 V）、Capacitance @ Vr, F（365pF @ 1V, 1MHz）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-2） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单二极管 产品 SCS210AGHRC
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