规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 60A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3 V @ 60 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Supplier Device Package | TO-247GE |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
RFS60TZ6SGC13 罗姆半导体单二极管 - 规格参数与选型指南
RFS60TZ6SGC13 是由 罗姆半导体 制造的 单二极管 类电子元器件。DIODE GEN PURP 650V 60A TO247GE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 60A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 60 A、Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)。
RFS60TZ6SGC13 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Reverse Recovery Time (trr)（55 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（10 µA @ 650 V）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-247-2）、Supplier Device Package（TO-247GE） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
RFS60TZ6SGC13 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供RFS60TZ6SGC13价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 RFS60TZ6SGC13 的最新价格和交期信息。
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