改善微动开关的导通电压

NEC公司涡卷关闭其改进的纳米缩放开关NanoBridge具有增强转上的电压，从而使开关的操作电压进行调整，以的CMOS。在芯片上实现的性能改进，NEC与国家材料科学研究所（NIMS）和日本科学技术振兴机构（JST）。

用人NanoBridge可以实现减小芯片的尺寸和更高的性能作为NanoBridge的可编程逻辑器件的小尺寸有可能实现的开关4F²以及低电阻小于100Ω所述NEC。

在NanoBridge，氧化钽被用于固体电解质的扩散速率的铜离子，形成的导通路径，是非常小的，允许显着改善，转弯电压。

此外开关的状态不改变应用逻辑信号。对电的交换机实现了高稳定性。估计表明，将维持导通状态超过10yrs几毫安的恒定电流时在室温下是本。的NanoBridge采用钽氧化物的LSI制造过程中需要对高温具有优良的耐久性。

新技术
此前硫化铜用于NanoBridge的固体电解质中。然而一些问题仍然通过其使用。首先作为反过来电压低于操作电压的CMOS使用的硫化铜时，开/关状态的NanoBridge改变逻辑信号时，被施加的。其次，开/关状态的保留时间短，在室温下超过三个月。及第三，膜的耐久性差，存在对高温的LSI制造process.To期间解决第一个问题，导通电压必须高于工作电压的CMOS。进一步的研究表明，该导通电压是由铜离子的扩散速率，和通过减少的扩散速率提高。

对于第二个问题，它是预期的，保留也可以提高降低的扩散率。对高温耐久性也被考虑在内。因此，氧化钽固体电解质的被选定为作为其对铜离子的扩散速率远小于硫化铜。因而，转向电压预期要高于CMOS（1V）的操作电压。此外，钽，氧化被广泛用于在DRAM中的绝缘体，并具有良好的耐久性，对在LSI制造过程中的高温。联合研究已证实转上电压超过1V和预期保持了十多年的，即使有连续电流流动的状态。

新的紧凑的电路重新配置开关可以堆叠的逻辑块上，减少了芯片面积，现有的芯片的一小部分，从而实现更低的成本。它的主要优点是它的低电阻的过程中进行的状态，这将有助于减少在价格和在未来的可编程器件的性能的改进。