M / A-COM公司技术解决方案的扩展，新组合的GaN产品在高功率

M / A-COM公司的技术解决方案公司（的M / A-COM公司技术）扩展其领导地位，引进氮化镓一个新的家庭（氮化镓）RF功率晶体管在高功率半导体。今天宣布了在MTT-S的2011年，在同行业中规模最大的射频与微波产品展示。这种新的产品系列针对L和S波段脉冲雷达的应用和利用的M / A-COM公司提供标准和定制的解决方案，以满足最苛刻的客户要求技术的丰富的文化遗产。中号/ A-COM公司技术公司的碳化硅氮化镓（SiC）的晶体管和产品，提供托盘，利用1 0.5微米HEMT的过程和展示权力吸引力的射频性能参数，增益，增益平坦度，效率和耐用性超过广泛的操作系统带宽。的M / A-COM公司技术的GaN产品的主要优点包括高击穿电压，卓越的功率密度，更高，更广的工作频率比硅。

零件编号	频率（MHz）	噘嘴（宽）	脉冲/义务
MAGX-002731-030L00	2700 - 3100	30高峰	500us / 10％
MAGX-002731-100L00	2700 - 3100	100峰	500us / 10％
MAGX-002731-180L00	2700 - 3100	180峰	500us / 10％
MAGX-003135-030L00	3100 - 3500	30高峰	500us / 10％
MAGX-003135-180L00	3100 - 3500	180峰	500us / 10％
MAGX-000912-125L00	960 - 1215	125峰	毫秒/ 10％
MAGX-000912-250L00	960 - 1215	250峰	毫秒/ 10％
MAGX-001214-125L00	1200 - 1400	125峰	毫秒/ 10％
MAGX-001214-250L00	1200 - 1400	250峰	毫秒/ 10％
MAGX-001220-100L00	1200 - 2000	100峰	500us / 10％
MAGX-000035-030000	1 - 3500	平均30	连续
MAGX-000035-100000	1 - 3500	100平均	连续

M / A-COM的技术利用在开发业界领先的高功率晶体管提供这些顶级品质的氮化镓功率器件的经验超过30年的M / A-COM公司的技术解决方案的首席执行官查克·布兰德说，”。“我们的高度灵活的氮化镓产品系列，为客户提供一个单一的解决方案，结合高功率处理能力和高电压操作，通常发现在硅LDMOS器件，但更经常地，具有较高的频率性能与GaAs器件。这些要求苛刻的应用的创新解决方案是什么客户都期望在Microwave-M/A-COM技术的名字。“

ABI的最新研究显示高功率的需求不断增加，脉冲S-和L波段的空中交通控制，船舶，军用雷达应用中的RF器件。“的M / A-COM公司的技术解决方案的硅基产品一直是高功率的主要力量，脉冲RF应用的S-和L-波段雷达市场，并延伸到GaN技术定位自己的产品线，为持续的市场领导地位” Lance Wilson表示，研究中心主任，射频组件及系统。

的M / A-COM的技术，计划到今年晚些时候发布更多的产品，如L-波段雷达，航空电子设备，电子战，MILCOM，以及通用器件的目标应用。氮化镓晶体管和托盘的工程样品是今天为合资格的客户提供股票。这些产品的出口管理条例“的管辖范围。某些目的地的出货量可能需要出口许可证。