东芝公司宣布下一代超接面技术的功率MOSFET

2012年5月8日 - 东芝美国电子元件公司（TAEC），一个坚定的领导者，与科技公司合作，创造突破性的设计，今天宣布其DTMOS的- IV的过程中，新一代的超结（SJ），功率MOSFET技术。基于DTMOS的IV技术的产品将开关电源，照明镇流器和其他电源应用需求相结合的高速运转，高效率和低EMI噪声的理想开关设备。
律政司司长的MOSFET提供无功率损耗处罚的超低导通电阻。因此，东芝的新DTMOS的，四的过程，这是被该公司的最新高速，高效率600V功率MOSFET的家庭部署，提供阻力的评分，是达至30％，比第三代DTMOS的产品为低同样的芯片尺寸。这样做的好处是，设计师现在可以选择在一个TO-220SIS包与一个R 600V MOSFET的RDS（ON）仅为0.065Ω，或类似的设备在一个TO-3P（N）与R包DS（ON），向下0.04Ω。
在除了驾驶电阻，DTMOS的-IV也让东芝减少MOSFET输出电容（Ç OSS的优化开关电源操作），在轻负载。此外，优化的栅漏电容（GD）提供了更高的dv / dt开关控制，同时优化的R DS（ON）， *问Ğ图择优支持高效率的开关。最后，支持较低的dv / dt的评级，DTMOS的-IV也降低了EMI噪声在高速开关电路。
DTMOS的IV技术使​​用深海沟的过程中导致的横向SJ间距缩小，从而优化整体性能。
基于DTMOS的，第四进程东芝的第一MOSFET的是可现在1扩大阵容，其中包括：的DPAK，采用IPAK，D2PAK封装，I2PAK，TO-220封装，于-220SIS，TO-247，TO-3P（N）的，和TO-3P（L）的软件包。

东芝公司的分立产品
东芝是一个离散的产品类别，包括功率晶体管，整流器改性活生物体的逻辑，CMOS逻辑电路，光电，小信号二极管和晶体管数量的领先供应商。该公司的分立器件的设计在今天的无线通信和消费电子应用的高性能和更低的电压，以满足日益增长的需求，同时强调其在汽车和工业市场的实力。