东芝扩大家庭超高效，高速，低电压新60V和120V器件的MOSFET
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2012年5月8日 - 东芝美国电子元件公司（TAEC），一个坚定的领导者，与科技公司合作，创造突破性的设计，今天宣布，它已扩大了其家族的低电压，高新的，超高效的60V和120V的设备，将节省空间和减少损失的次级同步整流设计与高速的MOSFET。
在开关模式电源，如AC / DC适配器，工业系统，电信设备和服务器的应用为目标，16个新的沟槽MOSFET器件基于东芝的U-MOS第八-H工艺的第八代。这个过程提供低之间的贸易特征电阻（R DS（ON），显着改善）和低输入电容（ISS），并提高开关速度，最大限度地减少辐射噪声。
要么-220或TO-220SIS“智能隔离的包格式，新的产品线包括8个60V MOSFET和8个120V的MOSFET。通过提供更低的R DS（ON） * ISS优异的数字，比前几代设备，新MOSFET的操作与更低的传导和驱动器的损失，并带来显着的效率提高。
在新的MOSFET的TK100E06N1（TO-220）和TK100A06N1（TO-220SIS）60V器件与典型的额定电阻（用V GS = 10V），低的只有1.9mΩ和2.2MΩ分别。120V系列包括TK56E12N1（TO-220）和TK56A12N1（TO-220SIS）设备与各自的典型电阻6.1mΩ和6.5mΩ（用V GS = 10V）。
在开关模式电源，如AC / DC适配器，工业系统，电信设备和服务器的应用为目标，16个新的沟槽MOSFET器件基于东芝的U-MOS第八-H工艺的第八代。这个过程提供低之间的贸易特征电阻（R DS（ON），显着改善）和低输入电容（ISS），并提高开关速度，最大限度地减少辐射噪声。
要么-220或TO-220SIS“智能隔离的包格式，新的产品线包括8个60V MOSFET和8个120V的MOSFET。通过提供更低的R DS（ON） * ISS优异的数字，比前几代设备，新MOSFET的操作与更低的传导和驱动器的损失，并带来显着的效率提高。
在新的MOSFET的TK100E06N1（TO-220）和TK100A06N1（TO-220SIS）60V器件与典型的额定电阻（用V GS = 10V），低的只有1.9mΩ和2.2MΩ分别。120V系列包括TK56E12N1（TO-220）和TK56A12N1（TO-220SIS）设备与各自的典型电阻6.1mΩ和6.5mΩ（用V GS = 10V）。
