EPC2102ENGRT | EPC FET、MOSFET 阵列 规格参数与产品特性
2026-02-26
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产品概述
EPC2102ENGRT是一款高性能的GaNFET（氮化镓场效应晶体管），由业界领先的 EPC 公司制造。作为一款 2 N-Channel 60V 23A 的裸片（DIE）封装的功率器件，它属于 FET、MOSFET 阵列 分类。EPC2102ENGRT凭借其先进的氮化镓技术，为工程师和采购人员提供了一种高效率、小尺寸的解决方案，以满足日益增长的功率管理需求。其独特的性能使其成为替代传统硅基MOSFET的理想选择，特别是在对性能和尺寸有严苛要求的应用中。立即访问 EPC2102ENGRT产品页面，深入了解这款创新的电子元器件。
核心规格参数
EPC2102ENGRT 展现出卓越的电气性能，以下是其关键规格参数的详细列表：
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 产品状态 (Digi-Key) | 已停产 (Discontinued) |
| 技术 | GaNFET (氮化镓) |
| 配置 | 2 N-Channel (半桥) |
| 漏源电压 (Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 23A (Tj) |
| 导通电阻 (Rds On) (最大值) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 20A, 5V |
| 阈值电压 (Vgs(th)) (最大值) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 830pF @ 30V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 (Surface Mount) |
| 封装/外壳 | 裸片 (Die) |
| 供应商器件封装 | 裸片 (Die) |
产品特性与优势
EPC2102ENGRT 凭借其 GaNFET 技术，带来了多项显著的优势：
- 卓越的导通性能： 极低的导通电阻 (Rds On) 仅为 4.4mOhm @ 20A, 5V，显著降低了功率损耗，提高了系统效率。
- 高开关速度： 氮化镓材料固有的优势使其能够实现比传统硅 MOSFET 更快的开关速度，从而减小了开关损耗，并允许更高的工作频率。
- 低栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss)： 较低的 Qg 和 Ciss 有助于降低驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。
- 宽温度范围： -40°C 至 150°C 的宽工作温度范围，保证了在严苛环境下的可靠运行。
- 高功率密度： 裸片 (Die) 封装形式允许工程师在设计中实现更高的功率密度，减小了整体解决方案的尺寸。
- 半桥配置： 2 N-Channel 的半桥配置，为实现各种高效的拓扑结构提供了便利。
EPC 作为增强型氮化镓功率管理器件的领导者，一直致力于推动 eGaN® FET 技术的发展，使其成为 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪和 RF 传输等应用的理想选择。EPC2102ENGRT 正是这一技术创新的体现。
应用领域
EPC2102ENGRT 的高性能和紧凑尺寸使其适用于广泛的应用领域，包括但不限于：
- 高效率 DC-DC 转换器
- 无线功率传输系统
- 服务器电源
- 电信基础设施
- 电动汽车充电
- 消费电子产品中的电源管理
- LED 照明驱动
- 工业电源
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