TP65H070LSG | Transphorm 单 FET、MOSFET 规格参数与产品特性
2026-02-26
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产品概述
TP65H070LSG是Transphorm公司推出的一款高性能GaN FET（氮化镓场效应晶体管），属于单 FET、MOSFET分类下的关键产品。作为Transphorm全球领先的宽禁带半导体解决方案提供商，TP65H070LSG凭借其创新的GaNFET技术，为高电压电源转换系统带来了前所未有的性能提升。这款N沟道、650V、25A的GaNFET，采用紧凑的3PQFN (8x8)封装，是当前电子元器件市场上备受关注的高效能组件。如果您正在寻找高品质的GaN解决方案，Transphorm的TP65H070LSG将是您的理想选择。凌创辉电子有限公司是您值得信赖的电子元器件分销商，致力于为您提供最优质的产品和专业的服务。了解更多关于Transphorm品牌的信息，请访问Transphorm品牌页面。如需了解更多单 FET、MOSFET产品，请访问分类页面。
核心规格参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品状态 | Discontinued at Digi-Key (请注意，此信息仅供参考，请联系我们确认最新库存) |
| FET类型 | N-Channel |
| 技术 | GaNFET (Cascode 氮化镓场效应晶体管) |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 驱动电压 (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 导通电阻 (Rds On) (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| 阈值电压 (Vgs(th)) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
| 栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| 最大栅源电压 (Vgs (Max)) | ±20V |
| 输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
| 最大功耗 (Max) | 96W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 (Surface Mount) |
| 供应商器件封装 | 3-PQFN (8x8) |
产品特性与优势
TP65H070LSG 采用先进的GaNFET技术，相比传统的硅基MOSFET，在多个关键性能指标上展现出显著优势：
- 高电压能力: 650V 的漏源电压 (Vdss) 使得该器件非常适合高电压应用，能有效应对电网电压波动和电源瞬变。
- 极低的导通电阻 (Rds On): 在 16A 电流和 10V 栅极驱动电压下，仅为 85mOhm 的 Rds On，这意味着极低的导通损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。
- 快速开关速度: GaNFET 的内在特性使其能够实现比传统MOSFET更快的开关速度，从而减小开关损耗，允许更高的开关频率，进而减小无源器件尺寸，实现系统小型化。
- 高功率密度: 96W 的最大功耗 (Tc) 和 25A 的连续漏极电流，结合紧凑的 8x8 3PQFN 封装，使其能够在大功率应用中实现极高的功率密度。
- 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的结温范围，确保了器件在严苛环境下的稳定可靠运行。
- 优化的栅极驱动: 10V 的驱动电压以及±20V的最大栅源电压，提供了灵活的驱动设计空间。
应用领域
凭借其出色的性能和可靠性，TP65H070LSG 广泛应用于以下领域：
- 服务器电源
- 电信电源
- 数据中心电源
- 电动汽车充电器
- 工业电源
- 太阳能逆变器
- 有源PFC电路
- DC-DC转换器
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