三星、SK海力士联手提价，服务器DRAM价格暴涨70%！
据多方行业信源确认，韩国两大存储巨头——三星电子与SK海力士已正式向主要客户提出，将在2026年第一季度对服务器用DRAM产品实施大幅提价，涨幅普遍落在60%至70%区间。这一调整不仅创下近年来存储芯片价格单季涨幅的新高，也标志着AI驱动下的算力基础设施建设正深刻重塑整个供应链格局。
此次涨价并非孤立事件，而是多重因素叠加的结果。一方面，生成式AI的爆发性增长持续推高对高性能计算硬件的需求。以英伟达H200、AMD MI300X为代表的AI加速平台对内存带宽和容量提出更高要求，不仅带动了HBM（高带宽内存）订单激增，也间接拉动了传统服务器DDR4/DDR5 DRAM的消耗。
数据显示，单台AI服务器对DRAM的需求量达到了普通服务器的8倍，而北美四大云厂2026年AI基础设施总投资预计将突破6000亿美元，进一步放大了通用服务器DRAM的需求缺口。三星、SK海力士等头部企业为此纷纷将晶圆产能向利润率更高的HBM3E等高带宽内存倾斜，这类用于英伟达等AI加速器的高端产品，消耗的晶圆资源是传统DRAM的3倍，直接挤压了通用服务器DRAM的产能空间，而新产能落地周期长达1.5-2年，短期难以填补缺口。
另一方面，美国在2025年底放宽部分高端AI芯片对华出口限制后，中国云服务商和大型科技企业迅速启动大规模采购，进一步加剧了全球DRAM产能的紧张局面。
面对供不应求的市场环境，三星与SK海力士采取了极为强势的供应策略。两家公司已明确拒绝拒绝签订2-3年的长期供货协议，坚持按季度议价签约，以此锁定逐季涨价的节奏。有消息指出，包括谷歌、微软、亚马逊在内的国际云厂商虽对成本上升表示担忧，但鉴于AI基础设施部署的紧迫性，多数已接受本轮涨价方案。更有传闻称，部分未能提前锁定产能的客户因交付风险面临内部问责，凸显当前存储资源的战略价值。
市场的热烈反应也印证了行业对涨价逻辑的认可，1月5日消息披露当日，三星电子股价大涨近7.5%创下历史新高，SK海力士股价同步上涨近3%，直接带动韩国首尔综指收涨3.43%，创下收盘历史新高，全球半导体板块也随之联动走强。
值得注意的是，产能分配的倾斜也加剧了结构性短缺。为满足HBM3E等先进产品的制造需求，两大韩厂将大量1α纳米及更先进制程产能转向高毛利产品线，导致通用服务器DRAM的产出受限。这种“挤出效应”使得原本就处于复苏通道的服务器内存市场雪上加霜。
市场研究机构预测，2026年全年服务器DRAM平均价格同比涨幅可能超过140%，其中Q1将成为关键拐点。供需方面，预计2026年全球DRAM位元供应量增幅仅为15%-20%，而需求增速将达到20%-25%，供需缺口持续扩大的态势难以逆转。
受此影响，下游终端厂商压力陡增。PC、智能手机等消费电子产品的存储成本占比显著上升，部分品牌已开始酝酿提价或调整产品配置策略。与此同时，三星与SK海力士2026年营业利润将有望分别达到155万亿韩元和148万亿韩元，较2025年实现2.5倍以上的激增，毛利率有望突破60%，七年来首次超越台积电。
这场由AI点燃的存储涨价潮，不仅反映了技术演进对硬件基础的深层依赖，也揭示了全球半导体供应链在高确定性需求面前的脆弱性与博弈张力。未来几个季度，DRAM市场的价格走势、产能调配以及客户应对策略，将持续成为观察全球科技产业竞争态势的重要窗口。
