存储产业迎“超级周期”，明年消费电子或承压提价
在11月27日举办的MTS2026上，集邦咨询（TrendForce）资深研究副总经理吴雅婷指出，当前存储产业，尤其是在DRAM领域，正进入一个由AI与服务器需求主导的“超级周期”；集邦咨询研究经理罗智文则直言，闪存市场在今年9月之后，也成为了驱动整个存储市场行业的关键变量。
两位分析师的判断共同指向一个核心结论：存储产业已告别传统周期波动，进入由AI定义的新阶段。
2026年DRAM均价将同比上涨58%
集邦咨询资（TrendForce）深研究副总经理吴雅婷
据吴雅婷分析，AI与服务器对DRAM的消耗正以前所未有的速度增长。数据显示，2024年AI与服务器消耗的DRAM占比为46%，2025年升至56%，2026年预计将达66%。“这不仅是HBM的产能挤占，LPDDR、Graphics DRAM等几乎所有内存类别都面临紧缺。”
尤其值得关注的是，AI应用正从训练向推理扩展，导致LPDDR5等传统移动内存也面临争夺。吴雅婷透露，英伟达等AI芯片厂商大量采购LPDDR5用于AI推理，其溢价高达50%-60%，这进一步挤压了智能手机等消费电子产品的供应。
供需失衡直接反映在价格上。集邦咨询预测，2026年DRAM均价将同比上涨58%，整体产值首次突破3000亿美元，同比增长85%。更严峻的是，当前市场已进入“轮流停止报价、竞价抢货”的模式。“每一种DRAM产品都在缺货，”吴雅婷表示，“轮流涨价的模式在2026年仍是主轴。”
产能困局：新厂建设滞后，供给增长有限
尽管价格持续上涨，但产能增长却面临现实制约。吴雅婷表示，三星P4L、SK海力士M15X等新产线最快也要到2027年下半年才能建成，之后还需至少两个季度才能投产。
当前，市场的核心矛盾是显著的供需失衡。“即便资本支出增加，2026年DRAM的供给增长也只有20%，而需求增长达26%，这关的供需缺口至少为6%，但在恐慌性采购情绪下，实际缺口可能会更为显著。”更严峻的是，当前产业链库存均低于健康水位，在“抢不到货”的普遍焦虑下，买方的实际采购量会远超其真实需求，进一步放大了供需缺口。
在闪存领域，情况同样严峻。罗智文表示，各闪存原厂的资本支出“真的很保守”，主要投入制程升级而非扩产。除了铠侠有新厂房计划外，其他厂商均无大规模扩产计划。2026年闪存产能增长主要依靠制程升级和QLC比例提升，预计产出增长21%，但仍难以满足需求。
HDD短缺，QLC SSD救场，闪存市场迎转折
集邦咨询（TrendForce）研究经理罗智文
罗智文在演讲中揭示了一个关键转折点：2025年9月，因HDD短缺引发的连锁反应彻底改变了闪存市场格局。
“HDD交期长达52周，而AI数据中心建设等不及，”罗智文解释道，“云端业者被迫转向大容量QLC企业级SSD来弥补存储缺口。”据估算，2026年HDD市场存在150-200EB的缺口，而闪存仅能弥补约100EB，剩余缺口无法填补。
尽管QLC eSSD（企业级SSD）的单位成本比HDD高出约4倍，但罗智文算了一笔总账：采用eSSD取代HDD，可通过节省电力、冷却系统和机柜空间，降低数据中心总成本30%-40%。“这种情况下，4倍的价差已不重要。”
这一转变导致闪存市场在2025年第四季度出现罕见暴涨，主流消费类闪存产品涨幅约20%到25%，晶圆价格涨幅高达95%-100%。“就算接受价格，也不一定能买到货，”罗智文形容道，“这种情况将持续整个2026年。”
HBM领跑，HBF与AI SSD崛起
在AI存储架构中，HBM、HBF和AI SSD正形成新的分层体系。
HBM作为“热资料”处理核心，面临容量瓶颈。罗智文指出，即使英伟达B300插满HBM，容量也仅288GB，难以满足大语言模型处理需求。加之HBM每GB成本高达15.3美元，远高于QLC eSSD的每GB 0.065美元，因此催生了替代方案的需求。
他引入HBF（高带宽闪存）来做关键补充。“HBF就像推车，比HBM的‘菜篮’容量更大，可装更多东西放在大厨旁边。”它采用3D NAND Flash与TSV技术，带宽达到传统NAND的数倍，在成本与性能间找到平衡点。
而AI SSD则扮演“二厨”角色，内置NPU预先处理数据，减轻GPU负担。“从1万条资料中先找出100条最相关的请GPU处理，大幅提升效率。”
三者形成互补：HBM处理最优先资料，HBF负责温资料层，AI SSD过滤无关数据，传统SSD与HDD仍负责冷资料存储。
消费电子承压，服务器需求主导
目前，存储格局变化正深刻影响下游产业。
吴雅婷指出，智能手机厂商面临两难：要么涨价，要么降低单机内存容量。“2026年智能手机整机涨价已不可避免。”在此背景下，集邦咨询已将2026年智能手机出货增长率从原来的2%-3%下调至-2%，笔记本电脑出货增长率也下调3%。
出货量下调主要反映了内存价格上涨带来的巨大成本压力。同时，罗智文补充说，2025年因政策等因素导致出货基数较高也是预期修正的原因之一。“包括智能手机、笔记本电脑在内的消费电子2025年的出货基期太高了。今年上半年受国补政策、美国贸易战等因素的影响，很多终端厂商在提前备货生产，这拉高了今年的基期。”
相反，服务器需求会持续强劲。据罗智文介绍，2026年服务器闪存消耗将首次超过手机，明年服务器将消耗36.8%的闪存产能。
除此之外，吴雅婷透露，云服务厂商（CSP）为确保供应，与供应商的长期协议（LTA）谈判已从2026年延伸至2027甚至2028年，甚至出现预先付款、资助供应商资本支出以锁定产能的极端情况，这在过去从未发生。
“超级周期”的特性与供应商话语权
“超级周期”是集邦咨询分析师针对本轮存储行情的评价之一。与以往的任何一个周期不同，本轮周期不但持续时间久，而且程度也非常深。
吴雅婷甚至还说：“我研究存储产业20年来‘从未见过如此疯狂的情况’。”本轮行业上行并非短期波动，而是由AI与服务器需求结构性驱动的“超级周期”，其强度与持续性远超以往。
与2016-2018年由通用服务器驱动的上行周期相比，本轮周期将“走得更远”。在媒体群访环节，吴雅婷透露给出以上判断的原因在于：
买方属性改变，从消费电子厂商变为资本雄厚的云服务巨头，其对价格的敏感度低，首要目标是保障供应；第二，产品复杂度极高，HBM、各类DRAM等在有限产能中激烈竞逐。在此背景下，市场已进入“竞价模式”，供应商掌握了远胜以往的话语权，买方必须接受更高的价格才能争取到产能；她还指出，尽管供应商因获利改善而增加资本支出，但由于新厂房建设周期漫长，对2026年乃至2027年的实际产能贡献均非常有限。
除此之外，今年存储市场还出现了DDR4与DDR5价格倒挂现象。在媒体群访环节，集邦咨询分析师许家源做了详细阐释。
他解释说，这背后是深刻的产业变迁。一方面，所有主流供应商正将先进制程产能全力转向利润更高的DDR5及HBM等产品，导致DDR4的供应总量逐年锐减；另一方面，市场对DDR4的存量需求依然坚实。
此时，供应便转向规模较小的原厂，而这些厂商采用的成熟制程成本结构相对更高，从而垫高了DDR4的市场价格。他认为，在整个DRAM供应紧张的格局下，这种倒挂现象至少在整个2026年都会持续存在。
结语：存储产业的结构性质变
总而言之，存储产业正经历从“大宗商品”到“高复杂度产品”，从“消费电子驱动”到“AI与服务器驱动”的结构性质变。
吴雅婷给出结论：“我们正在见证存储产业的结构性转变。”而罗智文则认为，2026年只是开始，存储产业还将在AI浪潮中继续重塑。
在这个由AI定义的存储新时代，产能、技术与价格的三重博弈才刚刚拉开序幕。
