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终于等到!长鑫LPDDR5X量产,国产旗舰机摆脱存储依赖

2025-10-28 2

日前,在昆明召开的IEEE第十六届国际ASIC会议期间,长鑫存储技术有限公司宣布成功实现LPDDR5X系列内存芯片的研发及量产,标志着我国高端移动存储产业发展实现重大跨越,在技术层面由追赶国际先进水平正式迈入并跑阶段。作为当前旗舰级智能终端设备的核心存储技术标准,LPDDR5X凭借其高带宽、低功耗特性,为AI大模型本地部署、8K超高清视频处理等前沿应用提供关键支撑。此前,该领域市场长期由三星电子、SK海力士、美光科技三大国际存储巨头主导。​7nZesmc

长鑫存储此次推出的LPDDR5X产品在容量规格方面,涵盖12GB至32GB的多档封装方案;数据传输速率则覆盖8533Mbps至10677Mbps全速率段,其中9600Mbps主流速率版本的量产,已能充分满足现阶段国产旗舰智能手机的核心性能需求。尤为值得关注的是其在封装技术领域的创新突破,根据相关报道,公司正在研发的 0.58mm超薄LPDDR5X产品若实现量产,将成为全球最薄的同类产品,为智能手机轻薄化设计及增强现实(AR)设备研发提供关键技术支撑。​7nZesmc
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在封装技术的迭代升级路径上,长鑫存储针对传统 uMCP(嵌入式多芯片封装)技术存在的存储芯片与闪存芯片绑定导致的灵活性不足、测试周期冗长等问题,创新性地推出 uPoP(堆叠封装)技术,通过实现闪存与内存的独立生产与组装,显著提升了下游厂商供应链管理的灵活性。7nZesmc

​更具技术前瞻性的 HiTPoP(高性能堆叠封装)技术则聚焦于性能瓶颈突破。该技术通过减薄工艺优化散热设计,有效缓解了系统级芯片(SoC)温升对动态随机存取存储器(DRAM)高速输入输出性能的影响。同时,HiTPoP技术严格遵循 JEDEC(固态技术协会)焊球布局标准,确保与现有主板设计的兼容性,从而大幅降低终端设备厂商的技术适配成本。这种 “兼容现有技术生态体系+突破性能上限”的技术发展策略,为国产存储产品快速融入全球主流供应链体系奠定了坚实基础。7nZesmc

长鑫存储此前已实现DDR4、LPDDR5等系列产品的规模化供应,构建起覆盖消费电子、服务器等多领域的完整产品布局。根据Counterpoint Research的市场预测,长鑫存储LPDDR5系列产品的市场份额有望在年内提升至9%。7nZesmc

而此番​LPDDR5X的量产,更是填补了国产DRAM产品在旗舰智能手机应用领域的空白,为众多国产手机厂商降低对美韩存储芯片的依赖提供了可能。更为深远的影响体现在产业链协同发展层面,存储芯片的自主可控发展与国产SoC厂商的异构集成能力形成技术合力,推动构建 “存储-计算-封装”垂直协同的产业生态体系,加速高端移动设备产业链的国产化进程。​目前,公司已计划于2026年启动LPDDR6产品的量产工作,届时与国际领先存储厂商的技术差距有望缩小至1-2个季度。​7nZesmc

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