“续命”至2026年！三星、SK海力士放弃DDR4停产计划
在存储器技术快速迭代的当下，DDR5被视为下一代主流标准，然而，一场由供需错配引发的价格逆袭，却让“年迈”的DDR4意外迎来第二春。最新消息显示，三星电子与SK海力士已悄然调整产品路线图，决定延后淘汰DDR4的时间表，将相关产线的生命周期延长至2026年底。
根据此前披露的产能规划，三星电子与SK海力士原计划于2025年底至2026年初逐步终止DDR4产品供应。其中，三星电子最初规划在2025年底前完成1z节点DDR4 DRAM产线的有序停产工作。但基于最新市场研判，三星已将该节点产品生产周期延至2026年12月。与此同时，SK海力士亦同步延长DDR4产能供应周期，并向客户明确表示将通过无锡晶圆制造基地提升DDR4产品产能规模。
从技术演进路径分析，DDR4内存技术自2014年实现商业化量产以来，已历经十余年市场周期。在半导体技术高速迭代的行业背景下，随着DDR5技术实现规模化量产并建立市场份额，按照产业发展规律，内存制造企业逐步缩减DDR4产能本是顺应技术升级趋势的合理选择。然而，当前市场出现DDR4产品价格持续攀升，甚至呈现"价格倒挂"现象，即DDR4市场交易价格显著高于技术规格更先进的DDR5产品。
根据TrendForce 集邦咨询监测数据显示，自2024年6月起，DDR4 16Gb现货产品价格已超越DDR5 16Gb现货价格。截至8月底，两者价差进一步扩大：6月DDR4 均价为7.01美元，DDR5为5.85美元；至8月，DDR4价格攀升至8.59美元，而DDR5仅为6.17美元。在此价格体系下，三星电子、SK海力士等行业头部企业基于商业利益考量，决定维持DDR4产线持续运转，以期获取更高边际收益。
深入探究价格倒挂现象的形成机制，供应端结构性短缺为核心驱动因素。2024年初，三星电子、SK海力士及美光科技三大存储厂商曾向产业链客户通报DDR4产能缩减计划。但随后HBM（高带宽内存）市场需求爆发式增长，显著改变产业资源配置格局。由于HBM产品单颗晶圆消耗量约为标准DRAM产品的三倍，内存制造商在加大 HBM产能投入的同时，不可避免地压缩了DDR4产品的产能供给。叠加市场恐慌性采购行为，共同推动DDR4产品价格持续走高。
需求侧分析显示，工业控制主板、通信基础设施等领域，出于系统稳定性及兼容性要求，仍对DDR4产品保持刚性需求。此外，全球人工智能数据中心建设浪潮的持续推进，不仅带动HBM产品需求激增，普通服务器市场对DRAM产品的需求亦同步增长，其中DDR4产品仍占据一定市场份额。
尽管三星电子与SK海力士延长DDR4产能供应的举措，短期内有助于缓解市场供需矛盾，并对内存市场价格体系与竞争格局产生影响，但行业普遍预期，技术迭代趋势不可逆转。随着时间推移，DDR5技术将逐步完成对市场的全面渗透，这既是半导体技术演进的必然结果，也是内存产业持续创新以满足多样化市场需求的关键路径。
