美光将投资2,000亿美元助力美国半导体制造与研发
美光科技此次在美业务扩张的核心战略目标包含三大维度：强化本土半导体产业、保障关键存储芯片国产供应，以及满足人工智能驱动增长带来的预期市场需求。
美国制造业的战略愿景
美光科技计划投入约1,500亿美元用于本土存储器制造，另拨500亿美元专攻研发，此举重申其作为全球存储技术长期领导者的战略定位。研发投入聚焦人工智能、汽车及航空航天与国防三大关键领域，旨在确保美国持续保持产业领先优势。
然而，美光科技近期警示称，在美国建造半导体工厂的成本比亚洲同等规模设施高出35%-45%。
将HBM制造引入美国
图1：美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra 图片来源：美光
美光科技战略核心在于大幅扩展并升级其在美国三个关键州的制造基地布局。
美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra强调，此项投资“将巩固美国技术的领导地位，在半导体全产业链创造数万个就业岗位，并保障对经济及国家安全至关重要的半导体国产供应”。
美光科技计划在爱达荷州博伊西建设第二座领先级存储器制造晶圆厂。该晶圆厂预计将在纽约州首座晶圆厂之前建成投产，并与现有产线形成协同效应。爱达荷州首座晶圆厂的DRAM量产计划定于2027年启动。
纽约州的长期规划包含建设最多四座领先级大规模量产晶圆厂。此外，美光将对弗吉尼亚州马纳萨斯市的制造基地实施现代化改造与扩建——此举将通过把1α纳米DRAM制程节点及其他关键技术从中国台湾地区引进美国本土，强化美国半导体供应链安全。
此次扩张计划的核心在于将高带宽存储器(HBM)的全流程制造能力引入美国市场。该技术被公认为人工智能市场的关键基石，将推动新一代AI技术的突破性发展。
此外，该公司已向关键客户（包括英伟达）出货36GB 12层HBM4样品。爱达荷州两座晶圆厂与美光研发中心的同址布局，旨在驱动规模经济并加速HBM等尖端产品的上市进程。
图2：爱达荷州博伊西市美光办公楼 图片来源：美光
重组全球内存供应链格局
美光在美国的扩张计划旨在增强全球供应链韧性，并降低其因突发干扰而产生的供应链中断风险。推动这一转型的关键动因在于：当前尖端DRAM生产100%集中于海外，主要分布在东亚地区。
美光的战略目标是在美国本土生产其40%的DRAM产能，这一战略性再平衡将直接破解当前海外依赖困境。通过在弗吉尼亚州实现1-alpha DRAM制程节点的本土化量产，将显著提升工业、汽车、国防与航空航天，以及医疗设备等关键领域的供应链韧性。
加速推进美国本土HBM制造对快速扩张的AI市场至关重要，此举使美光能够满足预期需求并维持市场占有率。
经济效应与人才驱动计划
这些投资将在技术进步之外带来显著经济效益，美光预计在爱达荷州、纽约州和弗吉尼亚州创造9万个直接与间接就业岗位。
此外，美光已承诺投入超过3.25亿美元培养新一代人才梯队，确保为这些新兴岗位持续输送技术型人才。
该综合计划包含半导体课程开发、与社区学院合作推进学徒计划，以及联合高校拓宽半导体职业通道三大举措。
强有力的政府支持
这项雄心勃勃的计划获得政府坚实支持，美光已获得高达64亿美元的《芯片法案》直接拨款，用于建设爱达荷州与纽约州晶圆厂，并扩建及升级弗吉尼亚州生产基地。
此外，美商务部此前已于2024年12月10日授予“最高61.65亿美元的《芯片法案》直接资助”。
应对延期与环境挑战
尽管该项目具有战略重要性且获得强力支持，但如此大规模工程的执行仍面临多重复杂性。
纽约超级晶圆厂项目原计划建成美国史上最大芯片制造基地，现已遭遇多次延期，据报投产时间推迟至“2025年11月下旬或12月——远落后于原定的2024年6月目标工期”。
延期主因源于环境审查流程耗时，美国商务部与纽约州奥农达加县开发机构要求延长审批周期。
特定挑战包括需获陆军工程兵团批准方可“推平包含受保护湿地的白松商业公园”，且在园区内发现“两种濒危蝙蝠物种”，这要求美光必须“购置或划定异地土地迁移这些‘有翼居民’”。
行业巨头背书
如今，美光投资的规模与战略价值获得科技界多位顶尖CEO的广泛支持。
AMD董事长兼CEO苏姿丰博士表示：“美光扩大在美投资的举措兼具及时性与战略重要性，加强国内半导体供应链对加速人工智能及高性能计算创新至关重要。”
英伟达创始人兼CEO黄仁勋则盛赞此举“是人工智能生态体系的重要进步”，并强调美光在高性能存储领域的领导地位“对实现新一代人工智能突破不可或缺”。
微软董事长兼CEO萨提亚·纳德拉(Satya Nadella)补充道：“强化美国本土半导体制造能力将激发创新动能、创造高技能岗位并提升国家竞争力。”
然而，该项目仍面临合规审查与环境因素等挑战，已导致建设进度延迟。业界普遍支持凸显该战略计划对半导体生态及宏观经济格局的重大影响。
