美光/安靠/SK海力士在美建厂延期，日损500万美元
《芯片与科学法案》对在美国本土投建半导体工厂给予520亿美元的政策资助，许多由受资助的晶圆厂正在建设中，但有些工厂由于环境评估和当地居民的抗议而尚未开工。
据SemiAnalysis报道，这些项目包括安靠公司在亚利桑那州的先进封装工厂、美光公司在纽约的 DRAM 工厂，以及 SK 海力士在印第安纳州的 HBM 工厂。
当地人反对安靠的工厂
安靠公司计划在亚利桑那州皮奥里亚附近建造一座耗资20亿美元的芯片封装工厂，拥有超过 500,000 平方英尺（46,451 平方米）的洁净室空间，对于本地半导体供应链至关重要，该供应链已包含台积电 Fab 21 工厂以及十多家供应商。
但该计划遭到了维斯坦西亚附近居民的抵制。当地居民反对安靠的选址，因为他们担心这可能会对水资源造成压力，并加剧交通拥堵。
工厂预计将成为全球最大的先进封装工厂之一，对于像苹果这样的公司也至关重要，苹果已承诺在台积电 Fab 21 工厂生产芯片，并在安靠的工厂进行封装。
然而，鉴于持续的抗议活动，该工厂能否按计划在 2027 年投产仍有待观察。
美光公司耗资 1000 亿美元的园区建设面临延误
这种情况并非安靠公司和亚利桑那州独有。
在纽约州克莱，美光公司计划斥资1000 亿美元兴建的 DRAM 生产基地（原计划于 2040 年代完工，预计将成为美光公司迄今为止最大的制造基地，并创造约 5 万个直接和间接就业岗位）也遭遇了进度挫折。
该公司的环境评估被推迟，公众反馈期也延长至 8 月。因此，原定于 2024 年开工的建设项目，在社区反对意见得到解决之前无法动工。
该基地预计将容纳四间洁净室，总面积达60万平方英尺（约5.57万平方米），约为格罗方德8号晶圆厂洁净室面积的八倍。
该晶圆厂是美光公司扩大其美国生产战略的关键组成部分。克莱工厂的初期建设预计到本世纪末将耗资约200亿美元，为未来几年计划的更大规模建设奠定基础。然而，美光公司正面临严重的项目延误，据报道，一座耗资200亿美元的晶圆厂的建设延误每天将造成500万美元的损失。
美光公司曾计划到2030年代中期，在美国生产40%的DRAM产量，并在爱达荷州博伊西和纽约州克莱附近运营工厂。然而，鉴于目前的延误，美光公司能否成功执行其计划尚不明朗。
SK海力士获得批准，但过程艰难
在印第安纳州西拉斐特，SK海力士斥资39亿美元建设高带宽存储器（HBM）生产基地的计划获得了批准，但花了七个小时才说服市议会。
该公司面临着当地居民的抵制，因为他们家附近超过120英亩的土地需要重新规划。居民们对住宅区附近的工业发展表示担忧，这几乎导致该项目停滞。
该工厂投资 39 亿美元，专门用于生产 HBM 和其他特殊类型的内存，预计 2028 年开始运营后，将成为全球最大、最先进的 DRAM 组装工厂之一。该工厂预计将创造多达 1,000 个就业岗位，SK 海力士还计划与普渡大学合作开展未来的研发项目。
防止延误
SemiAnalysis称，为了防止未来发展出现此类延误，一些州正在设立预先批准的工业区。通过提前规划基础设施，各州还可以在承诺的投资失败时施加处罚，从而确保企业承担更大的责任。
简化审批流程已成为全球技术发展的竞争优势。根据安全与新兴技术中心的分析，设施审批速度如今已成为决定半导体制造业扩张速度以及国家对大型芯片制造商吸引力的关键因素。
