ST与英诺赛科最新合作
2025年4月1日上午，ST在微信公众号官宣与英诺赛科在GaN方面的合作
根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。
同时，8英寸高性能低成本硅基氮化镓(GaN-on-Si)制造企业英诺赛科，可借助ST在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而ST也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。
ST方面表示，双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。
意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis评价道，ST与英诺赛科均为IDM，此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造价值。一方面，ST将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅(Si)和碳化硅(SiC)产品组合；另一方面，ST也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。
另外，英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士也指出，此次与ST的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。
目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
ST开始加大力度布局氮化镓
最近一年来，ST在氮化镓领域的布局动作频频，展现出其对这一新兴技术的高度重视和积极投入。
2024年12月，ST于2024年宣布对英诺赛科进行战略投资，双方合作聚焦于GaN技术研发，而非单纯财务投资，标志着ST在氮化镓市场的进一步深入布局。英诺赛科2024年总营收达8.285亿元，同比增长39.8%，其中GaN分立器件及集成电路业务收入3.608亿元（同比+87.8%）。
2025年1月，ST发布了MasterGaN-L系列(包含MasterGaN1L、MasterGaN4L等型号)，这是其氮化镓功率器件产品线的优化升级版本，主要针对高频应用和能效提升需求。新增型号覆盖功率范围从200W至5.5kW，适配不同拓扑结构。该系列通过高频优化和系统级集成，进一步巩固了ST在GaN功率器件领域的竞争力。
2025年4月1日，ST与英诺赛科正式签署了氮化镓功率技术的联合开发协议。根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用。
ST的这些布局动作表明，其正在通过多种方式加速氮化镓技术的部署，完善现有的硅和碳化硅产品组合，以满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。同时，ST也在通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户，提升供应链韧性，从而在全球半导体市场中保持竞争力。
