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莫仕连接器代理 板对板 jst株式会社年度科学技术领域文部科
添加时间:2020-05-21 10:16:35    已有: 0 人阅读 来源:深圳凌创辉电子有限公司
在令和2年度科学技术领域文部科学大臣表彰中,“本公司的IGBT电力用元件的开发”荣获科学技术奖(开发部门)。
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莫仕连接器代理 板对板 jst株式会社年度科学技术领域文部科学大臣表彰”中荣获科学技术奖,特此通知。
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1.关于科学技术领域文部科学大臣表彰
 
 
 
文部科学省将在科学技术相关的研究开发、增进理解等方面取得显著成果的人作为“科学技术领域文部科学大臣表彰”进行表彰。其中,科学技术奖的开发部门,是以对日本的社会经济、国民生活的发展提高等做出贡献,进行实际有效利用的划时代的研究开发或发明的人为对象。
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2.获奖内容及获奖者
 
 
 
获奖内容:科学技术奖开发部门
 
业绩名称:电场分布控制型IGBT电力用元件的开发
 
获奖者:大月正人(电子设备事业本部营业总括部应用技术部部长)(旧)开发总括部担当部长
 
百田圣自(电子设备事业本部开发总括部设备开发部担当部长)
 
桐泽光明(电子设备事业本部生产总括部松本工厂芯片制造技术部主席)
 
吉村尚(电子设备事业本部开发总括部进程开发部)
 
概要:电力用大功率半导体元件的igbt,背面(コレクタ)方面,采用强度控制n型杂质的“田赛停层部署”,且其“田赛停层的最佳结构”的igbt开发、产品化了。通过该技术,与现有的IGBT相比较,同时实现了“低导通电阻化”和“高速开关性能”,实现了IGBT的低损耗化。
 
该技术被应用于以汽车领域为首的各领域,为降低电力消耗,防止地球变暖做出了贡献。
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